纳米CMOS器件及电路的辐射效应

8.4 本章小结

8.3 基于蒙特卡罗的电路可靠性评估

8.2 数字电路在单粒子瞬态下的可靠性评估

8.1 逻辑电路在单粒子翻转下的可靠性评估

第8章 纳米CMOS电路在单粒子效应下的可靠性评估

参考文献

7.4 本章小结

7.3 密勒效应和耦合效应对单粒子瞬态的影响

7.2 单粒子瞬态的传播特性分析

7.1 单粒子串扰建模分析

第7章 单粒子效应对纳米CMOS电路的影响

参考文献

6.4 本章小结

6.3 纳米FinFET的单粒子效应及加固技术

6.2 数据读出接口电路的单粒子效应及加固方法

6.1 纳米CMOS器件的单粒子效应

第6章 纳米CMOS器件的单粒子效应及加固技术

参考文献

5.7 本章小结

5.6 4H-SiC半超结VDMOSFET的单粒子效应加固技术

5.5 4H-SiC半超结VDMOSFET的单粒子效应

5.4 晶圆各向异性对4H-SiC VDMOSFET的单粒子效应的影响

5.3 4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的单粒子效应

5.2 VDMOSFET结构与特性

5.1 失效机理

第5章 SiC功率VDMOSFET的单粒子效应及加固技术

参考文献

4.6 纳米线晶体管总剂量效应及加固技术

4.5 FD-SOI器件总剂量效应加固技术

4.4 FD-SOI器件总剂量效应的影响因素

4.3 FD-SOI器件的总剂量效应

4.2 FD-SOI器件氧化层的电荷俘获

4.1 FD-SOI器件结构

第4章 纳米CMOS器件的总剂量效应及加固技术

参考文献

3.4 本章小结

3.3 材料吸收剂量的计算

3.2 重离子在任意材料中的径向剂量

3.1 LET的简化计算

第3章 高能粒子入射材料的损伤机理

参考文献

2.5 本章小结

2.4 物理模型参数设置实例

2.3 基本物理模型

2.2 Silvaco TCAD仿真软件介绍

2.1 Sentaurus TCAD仿真软件介绍

第2章 基本物理模型和仿真工具

参考文献

1.5 本章小结

1.4 总剂量效应

1.3 单粒子效应

1.2 辐射环境

1.1 引言

第1章 绪论

前言

内容简介

版权信息

封面

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内容简介

前言

第1章 绪论

1.1 引言

1.2 辐射环境

1.3 单粒子效应

1.4 总剂量效应

1.5 本章小结

参考文献

第2章 基本物理模型和仿真工具

2.1 Sentaurus TCAD仿真软件介绍

2.2 Silvaco TCAD仿真软件介绍

2.3 基本物理模型

2.4 物理模型参数设置实例

2.5 本章小结

参考文献

第3章 高能粒子入射材料的损伤机理

3.1 LET的简化计算

3.2 重离子在任意材料中的径向剂量

3.3 材料吸收剂量的计算

3.4 本章小结

参考文献

第4章 纳米CMOS器件的总剂量效应及加固技术

4.1 FD-SOI器件结构

4.2 FD-SOI器件氧化层的电荷俘获

4.3 FD-SOI器件的总剂量效应

4.4 FD-SOI器件总剂量效应的影响因素

4.5 FD-SOI器件总剂量效应加固技术

4.6 纳米线晶体管总剂量效应及加固技术

参考文献

第5章 SiC功率VDMOSFET的单粒子效应及加固技术

5.1 失效机理

5.2 VDMOSFET结构与特性

5.3 4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的单粒子效应

5.4 晶圆各向异性对4H-SiC VDMOSFET的单粒子效应的影响

5.5 4H-SiC半超结VDMOSFET的单粒子效应

5.6 4H-SiC半超结VDMOSFET的单粒子效应加固技术

5.7 本章小结

参考文献

第6章 纳米CMOS器件的单粒子效应及加固技术

6.1 纳米CMOS器件的单粒子效应

6.2 数据读出接口电路的单粒子效应及加固方法

6.3 纳米FinFET的单粒子效应及加固技术

6.4 本章小结

参考文献

第7章 单粒子效应对纳米CMOS电路的影响

7.1 单粒子串扰建模分析

7.2 单粒子瞬态的传播特性分析

7.3 密勒效应和耦合效应对单粒子瞬态的影响

7.4 本章小结

参考文献

第8章 纳米CMOS电路在单粒子效应下的可靠性评估

8.1 逻辑电路在单粒子翻转下的可靠性评估

8.2 数字电路在单粒子瞬态下的可靠性评估

8.3 基于蒙特卡罗的电路可靠性评估

8.4 本章小结