第2章　模拟电子技术

2.1　半导体及二极管

单项选择题（下列选项中，只有一项符合题意）

1.N型半导体和P型半导体所呈现的电性分别为（　　）。[2013年真题]

A．正电，负电

B．负电，正电

C．负电，负电

D．中性，中性

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【答案】D

【解析】半导体和掺入的微量元素都是电中性的，掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，且并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态，所以N型半导体和P型半导体仍然呈电中性。只不过N型半导体的多数载流子为电子，P型半导体的多数载流子为空穴。

 

2．如图2-1-1所示，设二极管为理想元件，当=150V时，为（　　）。[2012年真题]

图2-1-1

A．25V

B．75V

C．100V

D．150V

【答案】C

【解析】设D₁、D₂的共阳极点为A点，假设没有D₂，如图2-1-2所示，D₁一定能够导通，A点的电压为U_A，根据，得出，则D₂导通，此时U_A=100V，D_l也导通，那么D₁、D₂都导通，所以U_A=100V。

图2-1-2

3．如图2-1-3所示电路中，二极管性能理想，则电压U_AB为（　 ）。[2010年真题]

A．-5V

B．-15V　 

C．10V

D．25V

图2-1-3

【答案】B

【解析】将二极管D₁、D₂断开，以B点作为电位参考点，则D₁的阳极电位为10V，阴极电位为0V，D₂的阳极电位为10V，阴极电位为－15V，假设二极管D₁和D₂均为正向偏置。D₂一旦导通，D₁的阳极电位变为-15V，D₁便不再导通。因此该电路D₁截止，D₂导通，U_AB＝-15V。

4．在如图2-1-4所示电路中，设二极管正向导通时的压降为0.7V，则电压为（　　）V。[2008年真题]

A．0.7

B．0.3

C．－5.7

D．－11.4

图2-1-4

【答案】B

【解析】如图2-1-5所示，先将a点断开，求出此时a点电位。若a点电位大于0.7V，则D导通；否则D截止，U_a等于此时a点电位值。

因为，所以U_a=I×3－5.7= 2×3－5.7=0.3V＜0.7V，因此二极管D截止，U_a=0.3V。

图2-1-5

5．如图2-1-6所示电路中，设的稳定电压为7V，的稳定电压为13V。则电压等于（　　）。[2006年真题]

A．0.7V

B．7V

C．13V

D．20V

图2-1-6

【答案】B

【解析】由于稳压管D_z1的稳定电压小于D_z2的稳定电压，因此D_z1先反向击穿，电压被钳位在7V。此时D_z2仍保持反向截止，因此U_AB=7V。稳压管并联时，电压为稳压值低的稳压管的额定稳定电压。

6.NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（　　）。[2012年真题]

A．

B．

C．

D．

【答案】C

【解析】当NPN型晶体管工作在放大状态时，基极与发射极为正向偏置的PN结。由PN结二极管理想状态特性方程：。

7．半导体二极管正向伏安（U—A）特性是一条（　　）。

A．过零点的直线

B．不过零点的直线

C．经过零点的一条射线

D．近似一条指数线

【答案】D

【解析】半导体二极管是非线性器件，具有单向导电性，其伏安特性解析表达式为： ，式中U为二极管两端外加电压，I为通过二极管的电流，I_e为反向饱和电流，I_e的伏安特性曲线近似于指数线。只有在正向电压足够大时，正向电流才从0随电压的增加按指数规律增大，当二极管所加反向电压足够大时，反向电流为I_S，此时二极管击穿。

8．在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如表2-1-1所示，其中性能最好的一个二极管是（　　）。

表2-1-1　 题11-8选项

【答案】B

【解析】从参数表中可以看出三个二极管的正向电流相等、反向击穿电压相等，反向电流越小的二极管单向导电性越好，即性能越好。

9．在整流电路中，二极管之所以能整流，是因为它具有（　　）。

A．电流放大特性

B．单向导电的特性

C．反向击穿的性能

D．稳压特性

【答案】B

【解析】整流电路就是利用的二极管单向导电的特性，将交流电变为单向的直流电。